三星,工艺被判侵犯专利权,需赔偿4亿美金

惠泽社群正版资料

2018-07-12 19:56:16

三星这两年把半导体代工业务作为重点来抓,今年率先推出了7nm euv工艺,抢在了台积电、globalfoundries及英特尔前面。如今这几家半导体制造公司都要依赖finfet晶体管工艺,除了英特尔之外,三星是最早进入finfet工艺的厂商之一,但是他们的finfet工艺也惹上了麻烦,上周末被美国法院判决侵犯了韩国科学技术院的专利,需要赔偿4亿美元,三星表示不服。

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三星与韩国科学技术院(kaist)在finfet工艺上的争论由来已久,kaist在诉讼中表示当时还在kaist工作的教授lee jong-ho在2001年向三星展示过finfet技术,三星起初对finfet工艺并不上心,但是后来看到英特尔的finfet量产之后也加快了finfet工艺开发,三星使用了lee jong-ho教授的finfet工艺为基础改进finfet工艺,最终在2011年推出了跟lee jong-ho教授研发的finfet工艺相近的finfet技术。

kaist就这样跟三星结下了梁子,2016年kaist在美国德州的知识产权局起诉了三星,宣称三星的finfet工艺侵犯了他们的专利权。三星回应称他们是跟kaist合作开发的finfet工艺,并质疑后者的finfet专利有效性,不过陪审团没有认可三星的辩护,最终在上周判决三星侵犯kaist的finfet专利权成立,需要赔偿kaist大概4亿美元。

陪审团认为三星侵权是“故意的”,所以这个4亿美元的赔偿还不是最终的,有可能被重罚到12亿美元。

三星这边对判决表示不服,表示将会考虑所有可能的选择来获得合理的结果,包括上诉。

此外,这起侵权案中还涉及到了高通及globalfoundries,他们也被判侵权成立,不过法院没有要求他们赔偿任何损失。